MOS管
150V N沟道增强型MOSFET-PJD30N15S-AU
更新时间 2024-09-23 11:00
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一、产品概述
PJD30N15S-AU是强茂精心打造的一款150V N沟道增强型MOSFET，专为高功率密度、高效率的电子应用而设计。
采用TO-252AA封装形式，它不仅具有紧凑的结构，还具备卓越的热管理能力和电气性能，确保在各种复杂环境中都能稳定运行。
二、应用领域
PJD30N15S-AUMOS管因其高效、稳定的特性，在多个领域得到了广泛应用：
- 电源供应与管理：在开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统中，PJD30N15S-AU能够提供稳定高效的电流控制，确保电源输出的稳定性和可靠性。
- 电机驱动与控制：在电动车控制器、步进电机驱动等应用中，它能够有效降低能耗，提升电机运行效率，延长设备使用寿命。
- 汽车电子系统：在汽车电子控制单元（ECU）、电池管理系统（BMS）等关键部位，PJD30N15S-AU能够承受高电压、大电流的冲击，确保汽车电子系统的安全稳定运行。
三、特征优势
PJD30N15S-AUMOS管具备以下显著特征优势：
- 低内阻设计：在V GS @10V，I D @10A的条件下，内阻R DS(ON)低于49mΩ，有助于降低系统功耗，提升整体效率。
- 高功率密度：连续漏极电流可达26A（T C =25°C），满足高功率应用需求，同时保持较小的封装尺寸。
- AEC-Q101认证：经过严格的汽车级可靠性测试，确保在汽车电子等应用中的高可靠性。
- 绿色环保：符合欧盟RoHS 2.0标准，采用环保材料制造，符合现代电子产品的绿色发展趋势。
四、主要参数
为了更直观地了解PJD30N15S-AUMOS管的性能：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V DS | - | - | 150 | V |
| 栅源电压 | V GS | -20 | - | 20 | V |
| 连续漏极电流（T C =25°C） | I D | - | - | 26 | A |
| 连续漏极电流（T C =100°C） | I D | - | - | 18 | A |
| 脉冲漏极电流（T C =25°C） | I DM | - | - | 52 | A |
| 功耗（T C =25°C） | P D | - | - | 83 | W |
| 功耗（T C =100°C） | P D | - | - | 42 | W |
| 栅阈值电压 | V GS(th) | 2 | 3 | 4 | V |
| 漏源导通电阻（V GS =10V，I D =10A） | R DS(on) | - | 39.5 | 49 | mΩ |
| 漏源导通电阻（V GS =7V，I D =6A） | R DS(on) | - | 41.5 | 54 | mΩ |
| 零栅压漏极电流 | I DSS | - | - | 1 | μA |
| 栅源泄漏电流 | I GSS | - | - | ±100 | nA |
| 总栅极电荷（V DS =75V，I D =10A，V GS =10V） | Q g | - | 22 | 29 | nC |
| 输入电容（V DS =75V，V GS =0V，f=1MHz） | Ciss | - | 1116 | 1450 | pF |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
