MOS管
150V N沟道增强型MOSFET-PJD45N15S-AU
更新时间 2024-09-23 11:00
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一、产品概述
PJD45N15S-AU是强茂推出的一款150V N沟道增强型MOSFET，专为高功率、高效率的应用场景设计。
其采用TO-252AA封装，具有出色的热稳定性和电气性能，能够满足各种复杂电路的需求。
二、应用领域
PJD45N15S-AUMOS管凭借其高电流、低内阻的特性，在多个领域展现出广泛的应用潜力。包括但不限于：
- 电源管理：在DC-DC转换器、AC-DC整流器等电源管理电路中，PJD45N15S-AU能够提供稳定的电流输出，确保电源系统的稳定运行。
- 电机驱动：在直流电机、步进电机等驱动电路中，PJD45N15S-AU能够高效地将电能转换为机械能，提升电机的运行效率。
- 汽车电子：在汽车电子系统中，PJD45N15S-AU能够承受高电压、大电流的冲击，确保汽车电子系统的安全可靠。
三、特征优势
PJD45N15S-AUMOS管具有以下显著特征优势：
- 低内阻：在V GS @10V，I D @20A的条件下，内阻R DS(ON)小于25mΩ，有助于降低功耗，提升系统效率。
- 高功率：连续漏极电流可达40A（T C =25°C），能够满足高功率应用的需求。
- AEC-Q101认证：产品经过严格的汽车级认证，适用于汽车电子等可靠性要求较高的领域。
- 绿色环保：符合欧盟RoHS 2.0标准，采用绿色成型化合物，符合环保要求。
四、主要参数
以下是PJD45N15S-AUMOS管的主要参数：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V DS | - | - | 150 | V |
| 栅源电压 | V GS | -20 | - | 20 | V |
| 连续漏极电流（T C =25°C） | I D | - | - | 40 | A |
| 连续漏极电流（T C =100°C） | I D | - | - | 29 | A |
| 脉冲漏极电流（T C =25°C） | I DM | - | - | 110 | A |
| 功耗（T C =25°C） | P D | - | - | 100 | W |
| 功耗（T C =100°C） | P D | - | - | 50 | W |
| 栅阈值电压 | V GS(th) | 2 | 3 | 4 | V |
| 漏源导通电阻（V GS =10V，I D =20A） | R DS(on) | - | 19.6 | 25 | mΩ |
| 漏源导通电阻（V GS =7V，I D =10A） | R DS(on) | - | 21 | 28 | mΩ |
| 零栅压漏极电流 | I DSS | - | - | 1 | μA |
| 栅源泄漏电流 | I GSS | - | - | ±100 | nA |
| 总栅极电荷（V DS =75V，I D =20A，V GS =10V） | Q g | - | 36 | 47 | nC |
| 输入电容（V DS =75V，V GS =0V，f=1MHz） | Ciss | - | 2118 | 2753 | pF |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
