MOS管
60VN沟道增强型设计的MOSFET-PJD50N15S-AU
更新时间 2024-09-20 11:00
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产品概述
PJD50N15S-AU是一款采用N沟道增强型设计的MOSFET，专为高电压、大电流应用而优化。
其最大漏源电压达到150V，连续漏极电流可达65A，在25°C下的最大脉冲漏极电流更是高达160A。
该产品采用TO-252AA封装，体积小、重量轻，便于集成到各种电力电子设备中。
应用领域
PJD50N15S-AU MOS管凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种高压电力控制场合，包括但不限于：
- 开关电源：在DC-DC转换器、AC-DC整流器等开关电源中，用于高效电能转换。
- 电机驱动：在电动车、工业自动化设备中的电机控制系统中，实现精准的电流调节和速度控制。
- 逆变器与UPS：在太阳能逆变器、不间断电源等设备中，确保电能的稳定输出和高效利用。
- 工业控制：在工业自动化生产线上的各种控制电路中，提供可靠的电力开关和保护功能。
特征优势
- 低内阻：PJD50N15S-AU在VGS=10V、ID=20A条件下，典型导通电阻仅为12.5mΩ，有助于降低功耗，提高效率。
- 高耐压：最大漏源电压达150V，适用于各种高压应用场景，保证设备的安全运行。
- 快速开关：优化的动态特性，如低总栅极电荷和低开关时间，有助于提升系统响应速度，减少开关损耗。
- AEC-Q101认证：符合汽车电子元件标准，适用于汽车电子等高可靠性要求领域。
- 环保绿色：符合RoHS 2.0标准，采用无铅封装，符合环保要求。
主要参数
以下表格详细列出了PJD50N15S-AU MOS管的主要技术参数：
| 参数符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VDS | - | - | - | 150 | V |
| VGS | ±20 | - | - | - | V |
| ID (TC=25°C) | - | - | 65 | - | A |
| ID (TC=100°C) | - | - | 46 | - | A |
| IDM (TC=25°C) | 脉宽<100us, 占空比<2% | - | - | 160 | A |
| PD (TC=25°C) | - | - | 167 | - | W |
| PD (TC=100°C) | - | - | 83 | - | W |
| ID (TA=25°C) | - | - | 8.7 | - | A |
| ID (TA=70°C) | - | - | 7.3 | - | A |
| PD (TA=25°C) | - | - | 3 | - | W |
| PD (TA=70°C) | - | - | 2.1 | - | W |
| IAS | - | - | - | 15.5 | A |
| EAS | - | - | - | 13 | mJ |
| RθJC | - | - | - | 0.9 | °C/W |
| RθJA | - | - | - | 50 | °C/W |
| RDS(on) (VGS=10V, ID=20A) | - | - | 12.5 | 16 | mΩ |
| RDS(on) (VGS=7V, ID=10A) | - | - | 14.5 | 19 | mΩ |
| IDSS | VDS=150V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| Qg | VDS=75V, ID=20A, VGS=10V | - | 53 | 69 | nC |
| Ciss | VDS=75V, VGS=0V, f=1MHz | - | 3043 | 3956 | pF |
| Coss | - | - | 201 | 302 | pF |
| Crss | - | - | 27 | - | pF |
| Rg | f=1MHz | - | 1.1 | - | Ω |
| td(on) | VDS=75V, ID=20A, VGS=10V, RG=3Ω | - | 13 | - | ns |
| tr | - | - | 15 | - | ns |
| td(off) | - | - | 37 | - | ns |
| tf | - | - | 14 | - | ns |
| IS | TC=25°C | - | - | 65 | A |
| ISM | - | - | - | 160 | A |
| VSD | IS=20A, VGS=0V | - | 0.85 | 1.3 | V |
| Trr | VDD=75V, VGS=0V, IS=20A, dIS/dt=100A/us | - | 80 | - | ns |
| Qrr | - | - | 265 | - | nC |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
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