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MOS管

60V N沟道增强型MOSFET-PJD45N06SA-AU

更新时间  2024-09-20 11:00 阅读

一、产品概述

PJD45N06SA-AU是强茂半导体推出的一款60V N沟道增强型MOSFET,采用紧凑的TO-252AA封装形式,专为中高压应用设计。

mos管.jpg

该产品具有低导通电阻、高电流承载能力、快速开关速度等特点,通过了AEC-Q101质量标准认证,适用于汽车电子等高可靠性领域。

同时,PJD45N06SA-AU符合欧盟RoHS 2.0环保指令,体现了强茂半导体对环保和可持续发展的承诺。

二、应用领域

PJD45N06SA-AU MOS管凭借其卓越的性能,在多个领域展现出广泛的应用潜力:

  • 汽车电子:用于电动车、混合动力车及传统汽车的电池管理系统、电机控制器等,实现高效电力转换和精确控制。
  • 电源管理:在服务器电源、通讯电源、UPS不间断电源等场合,提高电源转换效率,降低系统能耗。
  • 工业控制:适用于自动化生产线、机器人控制等工业领域,确保系统稳定运行。

三、特征优势

  1. 低导通电阻:在V GS=10V,I D=20A的条件下,R DS(ON)仅为13.5mΩ(最大值),有效降低导通损耗,提升系统效率。
  2. 高电流承载能力:连续漏极电流可达38A(T C=25°C),满足多种高功率密度应用需求。
  3. 快速开关性能:优化的栅极电荷和开关时间,减少开关损耗,提升系统响应速度。
  4. AEC-Q101认证:确保在汽车电子等高可靠性领域的稳定性和安全性。
  5. 绿色环保:符合RoHS 2.0标准,采用绿色模具化合物制造,体现环保理念。

四、主要参数

以下是PJD45N06SA-AU MOS管的主要参数:

参数类别符号测试条件最小值典型值最大值单位
电气特性





漏源击穿电压BV DSSV GS=0V, I D=250uA60--V
栅极阈值电压V GS(th)V DS=V GS, I D=250uA1.52.13V
漏源导通电阻R DS(on)V GS=10V, I D=20A-10.613.5


V GS=4.5V, I D=10A-18.824
零栅极电压漏电流I DSSV DS=60V, V GS=0V--1μA
栅极源极泄漏电流I GSSV GS=±20V, V DS=0V--±100nA
动态参数





总栅极电荷Q gV DS=30V, I D=20A, V GS=10V-1621nC
栅极源极电荷Q gs--3-nC
栅极漏极电荷Q gd--4-nC
输入电容CissV DS=30V, V GS=0V, f=1MHz-8001120pF
输出电容Coss--273410pF
反向传输电容Crss--28-pF
栅极电阻R gf=1MHz-1.3-Ω
开关时间





开启延迟时间td(on)V DS=30V, I D=20A, V GS=10V, R G=3Ω-6.5-ns
开启上升时间t r--19-ns
关闭延迟时间td(off)--15-ns
关闭下降时间t f--15-ns
热特性





结到壳热阻R θJC--3.8-°C/W
结到环境热阻R θJA--50-°C/W
其他参数





连续漏极电流(T C=25°C)I D--38-A
脉冲漏极电流(T C=25°C)I DM--136-A
功率耗散(T C=25°C)P D--45-W
单脉冲雪崩电流I AS--22-A
单脉冲雪崩能量E AS--41-mJ

请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。


如有任何疑问,请咨询超毅电子相关技术人员,超毅电子是台湾强茂代理商。