MOS管
强茂中压mos管PJD60N06SA-AU
更新时间 2024-09-19 11:00
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一、产品概述
PJD60N06SA-AU是强茂半导体专为中高压应用设计的60V N沟道增强型MOSFET，采用紧凑的TO-252AA封装，兼具高电流承载能力和低导通电阻。
该产品通过了AEC-Q101质量标准认证，适用于汽车电子等高可靠性领域，同时满足欧盟RoHS 2.0环保指令，体现了强茂半导体对环保和可持续发展的重视。
二、应用领域
PJD60N06SA-AU MOS管凭借其出色的性能，在多个领域展现出广泛的应用潜力：
- 汽车电子：用于电动车、混合动力车及传统汽车的电池管理系统、电机控制器等，实现高效电力转换和精确控制。
- 电源管理：在服务器电源、通讯电源、UPS不间断电源等场合，提高电源转换效率，降低系统能耗。
- 工业控制：适用于自动化生产线、机器人控制等工业领域，确保系统稳定运行。
三、特征优势
- 低导通电阻：在V GS=10V，I D=20A的条件下，R DS(ON)仅为7.9mΩ（典型值），有效降低导通损耗，提升系统效率。
- 高电流承载能力：连续漏极电流可达66A（T C=25°C），满足高功率密度应用需求。
- 快速开关性能：优化的栅极电荷和开关时间，减少开关损耗，提升系统响应速度。
- AEC-Q101认证：确保在汽车电子等高可靠性领域的稳定性和安全性。
- 绿色环保：符合RoHS 2.0标准，采用绿色模具化合物制造，体现环保理念。
四、主要参数
以下是PJD60N06SA-AU MOS管的主要参数：
| 参数类别 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电气特性 | ||||||
| 漏源击穿电压 | BV DSS | V GS=0V, I D=250uA | 60 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | V GS(th) | V DS=V GS, I D=250uA | 1.5 | 2.1 | 3 | V |
| 漏源导通电阻 | R DS(on) | V GS=10V, I D=20A | - | 6.3 | 7.9 | mΩ |
| V GS=4.5V, I D=20A | - | 11.1 | 14.5 | mΩ | ||
| 零栅极电压漏电流 | I DSS | V DS=60V, V GS=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅极源极泄漏电流 | I GSS | V GS=±20V, V DS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 动态参数 | ||||||
| 总栅极电荷 | Q g | V DS=30V, I D=20A, V GS=10V | - | 27 | 35 | nC |
| 栅极源极电荷 | Q gs | - | - | 7 | - | nC |
| 栅极漏极电荷 | Q gd | - | - | 6 | - | nC |
| 输入电容 | Ciss | V DS=30V, V GS=0V, f=1MHz | - | 1454 | 1890 | pF |
| 输出电容 | Coss | - | - | 616 | 862 | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | - | 54 | - | pF |
| 热特性 | ||||||
| 结到壳热阻 | R θJC | - | - | 2.2 | - | °C/W |
| 结到环境热阻 | R θJA | - | - | 50 | - | °C/W |
| 其他参数 | ||||||
| 连续漏极电流（T C=25°C） | I D | - | - | 66 | - | A |
| 脉冲漏极电流（T C=25°C） | I DM | - | - | 230 | - | A |
| 功率耗散（T C=25°C） | P D | - | - | 68 | - | W |
| 单脉冲雪崩电流 | I AS | - | - | 27 | - | A |
| 单脉冲雪崩能量 | E AS | - | - | 55 | - | mJ |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
