MOS管
强茂中压mos管PJP100N06SA-AU
更新时间 2024-09-18 11:00
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一、产品概述
PJP100N06SA-AU是强茂半导体精心打造的一款60V N沟道增强型MOSFET，它采用TO-220AB-L封装，具备优异的电气性能和可靠的热稳定性。
这款MOS管不仅符合AEC-Q101质量标准，还通过了欧盟RoHS 2.0环保认证，绿色环保，符合国际电子产品的安全标准。
二、应用领域
PJP100N06SA-AU因其出色的性能和稳定性，被广泛应用于多个领域：
- 汽车电子：在汽车电子系统中，MOS管常用于电源管理、电机驱动等关键部位，PJP100N06SA-AU的高效能和可靠性使其成为汽车电子领域的优选。
- 电源管理：在DC/DC转换器、UPS电源等电源管理系统中，PJP100N06SA-AU能有效提高电源转换效率，降低能耗。
- 工业自动化：在电机控制、自动化生产线等工业自动化领域，PJP100N06SA-AU凭借其优异的电气特性和热稳定性，保障了设备的稳定运行。
三、特征优势
- 低内阻：在V GS=10V，I D=20A的条件下，R DS(ON)低至6.1mΩ，降低了功耗，提高了效率。
- 逻辑电平驱动：无需高压驱动，降低了电路设计的复杂性。
- AEC-Q101认证：确保了产品在汽车电子领域的可靠性和耐用性。
- 环保材料：采用绿色模具化合物，符合环保要求。
四、主要参数
以下是PJP100N06SA-AU的主要参数：
| 参数类别 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电气特性 | ||||||
| 漏源击穿电压 | BV DSS | V GS=0V, I D=250uA | 60 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | V GS(th) | V DS=V GS, I D=250uA | 1.5 | 2.1 | 3 | V |
| 漏源导通电阻 | R DS(on) | V GS=10V, I D=20A | - | 4.9 | 6.1 | mΩ |
| V GS=4.5V, I D=10A | - | 7.7 | 10 | mΩ | ||
| 零栅极电压漏电流 | I DSS | V DS=60V, V GS=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅极源极泄漏电流 | I GSS | V GS=±20V, V DS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 动态参数 | ||||||
| 总栅极电荷 | Q g | V DS=30V, I D=20A, V GS=10V | - | 40 | 52 | nC |
| 栅极源极电荷 | Q gs | - | 9.6 | - | - | nC |
| 栅极漏极电荷 | Q gd | - | 8.3 | - | - | nC |
| 输入电容 | Ciss | V DS=30V, V GS=0V, f=1MHz | - | 2039 | 2650 | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 695 | - | 973 | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | 91 | - | - | pF |
| 栅极电阻 | R g | f=1MHz | - |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
