MOS管
强茂中压mos管PJP75N06SA-AU
更新时间 2024-09-18 11:00
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一、产品概述
PJP75N06SA-AU是强茂半导体生产的一款60V N沟道增强型MOSFET，采用TO-220AB-L封装，具有良好的电气性能和热稳定性。
这款产品不仅通过了AEC-Q101质量标准认证，还符合欧盟RoHS 2.0环保指令，采用绿色模具化合物制造，确保了产品的环保性和安全性。
二、应用领域
PJP75N06SA-AU因其出色的性能和可靠性，在多个领域得到了广泛应用：
- 汽车电子：在汽车电子控制系统中，PJP75N06SA-AU可用于电源管理、电机驱动等关键领域，为汽车电子系统的稳定运行提供有力保障。
- 电源供应器：在DC/DC转换器、UPS电源等供电设备中，PJP75N06SA-AU能够有效提高电源转换效率，降低能耗，提升整体性能。
- 工业自动化：在工业自动化领域，PJP75N06SA-AU可用于电机控制、自动化生产线等场合，助力工业设备的稳定运行。
三、特征优势
- 低内阻设计：在V GS=10V，I D=20A的条件下，R DS(ON)低至9mΩ（典型值7.2mΩ），有助于降低功耗，提升效率。
- 逻辑电平驱动：简化了电路设计，降低了驱动电路的要求。
- AEC-Q101认证：确保了产品在汽车电子等高可靠性领域的应用潜力。
- 绿色环保：采用符合国际环保标准的材料制造，体现了企业的社会责任感。
四、主要参数
以下是PJP75N06SA-AU的主要参数：
| 参数类别 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 电气特性 | ||||||
| 漏源击穿电压 | BV DSS | V GS=0V, I D=250uA | 60 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | V GS(th) | V DS=V GS, I D=250uA | 1.5 | 2.2 | 3 | V |
| 漏源导通电阻 | R DS(on) | V GS=10V, I D=20A | - | 7.2 | 9 | mΩ |
| V GS=4.5V, I D=20A | - | 13 | 17 | mΩ | ||
| 零栅极电压漏电流 | I DSS | V DS=60V, V GS=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅极源极泄漏电流 | I GSS | V GS=±20V, V DS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 动态参数 | ||||||
| 总栅极电荷 | Q g | V DS=30V, I D=20A, V GS=10V | - | 27 | 35 | nC |
| 栅极源极电荷 | Q gs | - | 7 | - | - | nC |
| 栅极漏极电荷 | Q gd | - | 6 | - | - | nC |
| 输入电容 | Ciss | V DS=30V, V GS=0V, f=1MHz | - | 1454 | 1890 | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 616 | - | 862 | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | 54 | - | - | pF |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
