MOS管
强茂中压mos管PJP125N06SA-AU
更新时间 2024-09-17 11:00
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产品概述
PJP125N06SA-AU是一款专为高性能应用设计的60V N沟道增强型MOSFET，采用TO-220AB-L封装，具有低内阻、高开关速度及优异的热稳定性。
该产品通过了AEC-Q101认证，符合欧盟RoHS 2.0标准，并采用绿色成型化合物，确保环保与可靠性的双重保障。
应用领域
PJP125N06SA-AU MOS管凭借其卓越的性能，广泛应用于各类需要高效能MOS管的场合，包括但不限于汽车电子、工业控制、电源管理等领域。在这些应用中，它能够显著提升系统效率，降低能耗，为设备的稳定运行提供坚实保障。
特征优势
- 超低内阻：在VGS=10V，ID=20A的条件下，RDS(ON)低至2.6mΩ，有助于大幅降低功耗，提升系统整体效率。
- 高开关速度：具备快速响应能力，适用于高频应用，可有效缩短电路响应时间。
- 逻辑电平驱动：支持逻辑电平驱动，简化了电路设计，降低了驱动成本。
- 环保可靠：完全符合欧盟RoHS 2.0标准，采用绿色成型化合物，确保产品的环保性和长期稳定性。
主要参数
以下表格详细列出了PJP125N06SA-AU的主要电气参数：
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | - | 60 | - | - | V |
| 栅源电压 | VGS | - | ±20 | - | - | V |
| 连续漏极电流（25°C） | ID | TC=25°C | 215 | - | - | A |
| 连续漏极电流（100°C） | ID | TC=100°C | 150 | - | - | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | TC=25°C | - | - | 630 | A |
| 功耗（25°C） | PD | TC=25°C | - | - | 214 | W |
| 功耗（100°C） | PD | TC=100°C | - | - | 107 | W |
| 连续漏极电流（25°C环境） | ID | TA=25°C | 21.5 | - | - | A |
| 连续漏极电流（70°C环境） | ID | TA=70°C | 19 | - | - | A |
| 功耗（25°C环境） | PD | TA=25°C | - | - | 2.4 | W |
| 功耗（70°C环境） | PD | TA=70°C | - | - | 1.7 | W |
| 单脉冲雪崩电流 | IAS | - | - | - | 58 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | - | 181 | mJ |
| 结温范围 | TJ, TSTG | - | -55 | - | 175 | °C |
| 热阻（结到壳） | RθJC | - | - | 0.7 | - | °C/W |
| 热阻（结到环境） | RθJA | - | - | 62.5 | - | °C/W |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 60 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 1.5 | 2.1 | 3 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=20A | - | 2.1 | 2.6 | mΩ |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=4.5V, ID=20A | - | 3.4 | 4.4 | mΩ |
| 零栅压漏源电流 | IDSS | VDS=60V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅源泄漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=30V, ID=20A, VGS=10V | - | 82 | 107 | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | - | 14 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | - | 19 | - | nC |
| 输入电容 | Ciss | VDS=30V, VGS=0V, f=1MHz | - | 4728 | 6146 | pF |
| 输出电容 | Coss | - | - | 1508 | 1960 | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | - | 72 | - | pF |
| 栅极电阻 | Rg | f=1MHz | - | - | 1.3 | Ω |
| 开启延迟时间 | td(on) | VDS=30V, ID=20A, VGS=10V, RG=3Ω | - | 13 | - | ns |
| 开启上升时间 | tr | - | - | 26 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | - | 66 | - | ns |
| 关断下降时间 | tf | - | - | 37 | - | ns |
| 二极管正向电压 | VSD | IS=20A, VGS=0V | - | 0.8 | 1.3 | V |
| 反向恢复时间 | Trr | VDD=30V, VGS=0V, IS=20A, di/dt=100A/μs | - | 65 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | - | 73 | - | nC |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
