MOS管
强茂中压mos管PSMN028N10NS2
更新时间 2024-09-17 11:00
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产品概述
强茂PSMN028N10NS2是一款专为高性能应用设计的100V N沟道增强型MOSFET。
该产品采用TOLL封装，不仅在电气特性上表现出众，还具备高开关速度、低反向传输电容等显著特点。
其设计完全符合欧盟RoHS 2.0标准，采用绿色成型化合物，符合IEC 61249标准，确保了产品的环保性和长期可靠性。
应用领域
PSMN028N10NS2因其出色的性能，被广泛应用于各类需要高性能MOS管的场合。包括但不限于能源存储系统（ESS）、不间断电源（BBU）、低电压电子（LEV）、电池管理系统（BSG）等领域。在这些应用中，它能够显著提升系统效率，降低能耗，为设备的稳定运行提供坚实保障。
特征优势
- 超低内阻：在VGS=10V，ID=70A的条件下，RDS(ON)低至2.8mΩ，有助于大幅降低功耗，提升系统整体效率。
- 高开关速度：具备快速响应能力，适用于高频应用，可有效缩短电路响应时间，提升系统性能。
- 低反向传输电容：有助于减少开关过程中的电荷损失，进一步提升系统效率。
- 环保可靠：完全符合欧盟RoHS 2.0标准，采用绿色成型化合物，确保产品的环保性和长期稳定性。
主要参数
以下表格详细列出了PSMN028N10NS2的主要电气参数：
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 100 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=440μA | 1.8 | 2.8 | 3.8 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=70A | - | 2.4 | 2.8 | mΩ |
| RDS(on) | VGS=6V, ID=35A | - | 3.2 | 4.2 | mΩ | |
| 零栅压漏源电流 | IDSS | VDS=100V, VGS=0V | - | - | 2 | μA |
| 栅源泄漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=50V, ID=70A, VGS=10V | - | 65 | 85 | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | - | 23 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | - | 9.3 | - | nC |
| 输入电容 | Ciss | VDS=50V, VGS=0V, f=250kHz | - | 4540 | 5900 | pF |
| 输出电容 | Coss | - | - | 1980 | 2570 | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | - | 14 | - | pF |
| 开启延迟时间 | td(on) | VDD=50V, ID=70A, VGS=10V, RG=1.8Ω | - | 17.1 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | - | 6.0 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | - | 27.4 | - | ns |
| 下降时间 | tf | - | - | 5.4 | - | ns |
| 栅极电阻 | Rg | f=1.0MHz | - | 0.5 |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
