MOS管
强茂中压mos管PSMQC144N10LS2
更新时间 2024-09-16 11:00
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一、产品概述
PSMQC144N10LS2是强茂精心打造的一款100V N沟道增强型MOSFET，采用DFN5060-8L封装，专为高效能与高可靠性应用而设计。
该产品集成了先进的沟槽工艺技术，确保了出色的电气性能和热稳定性。同时，PSMQC144N10LS2还符合欧盟RoHS 2.0标准，采用环保的绿色封装材料，体现了强茂对环保理念的坚守。
二、应用领域
凭借其高性能和低反向传输电容的特点，PSMQC144N10LS2在多个领域展现出了广泛的应用前景。它特别适用于LED照明、家用电器等需要高效能电源管理的场景。
在这些应用中，PSMQC144N10LS2能够有效地控制电流，提高能效，同时保持低功耗和长寿命，为用户带来更加稳定可靠的使用体验。
三、特征优势
- 低导通电阻：在V GS = 10 V、I D = 20 A的条件下，PSMQC144N10LS2的导通电阻R DS(ON)低至14.4mΩ，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
- 高开关速度：快速的开关响应能力使得PSMQC144N10LS2能够迅速适应电流变化，减少系统延迟，提升整体性能。
- 低反向传输电容：这有助于降低开关过程中的能量损耗，进一步提高能效。
- 优异的散热性能：DFN5060-8L封装设计具有良好的散热性能，确保MOS管在高温环境下仍能稳定工作。
- 宽温度范围支持：PSMQC144N10LS2支持-55℃至175℃的工作温度范围，适应各种恶劣环境。
四、主要参数
以下是其主要参数的详细表格：
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V DS | 100 | V | |||
| 栅源电压 | V GS | ±20 | V | |||
| 连续漏极电流（25℃） | I D | T C =25℃ | 38 | A | ||
| 连续漏极电流（100℃） | I D | T C =100℃ | 27 | A | ||
| 脉冲漏极电流 | I DM | T C =25℃ | 152 | A | ||
| 单脉冲雪崩电流 | I AS | 13 | A | |||
| 单脉冲雪崩能量 | E AS | 24.5 | mJ | |||
| 功耗（25℃） | P D | T C =25℃ | 50 | W | ||
| 功耗（100℃） | P D | T C =100℃ | 25 | W | ||
| 栅阈值电压 | V GS(th) | V DS =V GS, I D =80μA | 1.1 | 1.7 | 2.3 | V |
| 漏源导通电阻（10V） | R DS(on) | V GS =10V, I D =20A | 12.5 | 14.4 | mΩ | |
| 漏源导通电阻（4.5V） | R DS(on) | V GS =4.5V, I D =10A | 15.5 | 22 | mΩ | |
| 零栅压漏极电流 | I DSS | V DS =100V, V GS =0V | 1 | μA | ||
| 栅源泄漏电流 | I GSS | V GS =±20V, V DS =0V | ±100 | nA | ||
| 总栅极电荷（4.5V） | Q g | V DS =50V, I D =20A, V GS =4.5V | 8.7 | nC | ||
| 总栅极电荷（10V） | Q g | V DS =50V, I D =20A, V GS =10V | 16.7 | 21.7 | nC | |
| 输入电容 | C iss | V DS =50V, V GS =0V, f=250kHz | 1150 | 1500 | pF | |
| 输出电容 | C oss | 370 | 480 | pF | ||
| 反向传输电容 | C rss | 8.5 | pF | |||
| 栅极电阻 | R g | f=1.0MHz | 0.9 | 1.8 | Ω | |
| 开通延迟时间 | t d(on) | V DD =50V, I D =20A, V GS =10V, R G =3.0Ω | 5.4 | ns | ||
| 上升时间 | t r | 2.1 | ns | |||
| 关断延迟时间 | t d(off) | 13.1 | ns | |||
| 下降时间 | t f | 2.3 | ns |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
