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MOS管

强茂中压mos管PSMQC039N10NS2

更新时间  2024-09-13 11:00 阅读

一、产品概述

PSMQC039N10NS2是强茂生产的一款100V N沟道增强型MOSFET,采用DFN5060X-8L封装形式,具有低导通电阻、高开关速度和低反向传输电容等特点。

mos管.jpg

该产品专为高功率密度应用设计,能够在各种复杂环境中保持稳定的性能输出。同时,PSMQC039N10NS2还符合欧盟RoHS 2.0标准,采用环保绿色材料制造,体现了强茂对环境保护的承诺。

二、应用领域

PSMQC039N10NS2凭借其卓越的性能,广泛应用于多个领域。在PD充电器、砖式电源和48V DC/DC转换器等场合,它作为SR(软启动)解决方案的核心元件,能够有效控制电流,提高系统效率,降低功耗。此外,其紧凑的封装形式和出色的热性能,也使得它成为高密度电路板设计的理想选择。

三、特征优势

  1. 低导通电阻:在V GS = 10 V、I D = 60 A的条件下,PSMQC039N10NS2的最大导通电阻R DS(ON)仅为3.9mΩ,有助于降低功率损耗,提高能效。
  2. 高开关速度:优化的电路设计和生产工艺使得PSMQC039N10NS2具有极快的开关速度,能够迅速响应输入信号,减少系统延迟。
  3. 低反向传输电容:这有助于减少开关过程中的交叉耦合效应,提高系统的稳定性和可靠性。
  4. 出色的热性能:DFN5060X-8L封装形式提供了良好的散热性能,确保MOS管在高温环境下仍能稳定工作。
  5. 绿色环保:符合欧盟RoHS 2.0标准,采用环保材料制造,符合现代电子产品的环保要求。

四、主要参数

以下表格详细列出了PSMQC039N10NS2的主要参数:

参数符号条件最小值典型值最大值单位
漏源电压V DS
100

V
栅源电压V GS
±20

V
连续漏极电流(25℃)I DT C =25℃

126A
连续漏极电流(100℃)I DT C =100℃

89A
脉冲漏极电流I DMT C =25℃

504A
单脉冲雪崩电流I AS


54A
单脉冲雪崩能量E AS


145mJ
功耗(25℃)P DT C =25℃

125W
功耗(100℃)P DT C =100℃

62.5W
栅阈值电压V GS(th)V DS =V GS, I D =300μA1.82.83.8V
漏源导通电阻(10V)R DS(on)V GS =10V, I D =60A
3.53.9
漏源导通电阻(6V)R DS(on)V GS =6V, I D =30A
4.55.9
零栅压漏极电流I DSSV DS =100V, V GS =0V

2μA
栅源泄漏电流I GSSV GS =±20V, V DS =0V

±100nA
总栅极电荷Q gV DS =50V, I D =60A, V GS =10V
4660nC
输入电容C issV DS =50V, V GS =0V, f=250kHz
31104040pF
输出电容C oss

12201590pF
反向传输电容C rss

19
pF
开通延迟时间t d(on)V DD =50V, I D =60A, V GS =10V, R G =1.8Ω
15.3
ns
上升时间t r

8.7
ns
关断延迟时间t d(off)

24
ns
下降时间t f

5.4
ns
栅极电阻R gf=1.0MHz
0.40.8Ω
二极管正向电压V SDI S =60A, V GS =0V
0.91.2V
反向恢复电荷Q rrI F =60A, V DD =50V, di/dt=100A/μs
180
nC
反向恢复时间T rr

89
ns

请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。


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