MOS管
强茂中压mos管PSMB033N10NS2
更新时间 2024-09-11 11:00
阅读
一、产品概述
PSMB033N10NS2是强茂推出的一款100V N沟道增强型MOSFET，采用TO-263AB-L封装，具有出色的电气性能和热稳定性。
这款产品专为高功率、高效率的应用场景设计，能够满足各种复杂环境下的使用需求。同时，PSMB033N10NS2还符合欧盟RoHS 2.0标准，绿色环保，对环境友好。
二、应用领域
PSMB033N10NS2凭借其高开关速度、低反向传输电容以及出色的散热性能，广泛应用于电池管理系统（BMS）、工业电源系统的整流（SR）等领域。
在这些应用中，PSMB033N10NS2能够有效地控制电流的流动，提高系统的整体性能和效率，降低功耗，延长设备的使用寿命。
三、特征优势
- 低内阻设计：PSMB033N10NS2在V GS = 10 V、I D = 64 A的条件下，最大导通电阻R DS(ON)仅为3.3mΩ，有效降低了功率损耗，提高了能效。
- 高开关速度：得益于优化的电路设计和生产工艺，PSMB033N10NS2的开关速度极快，能够快速响应输入信号，减少系统延迟。
- 出色的散热性能：采用TO-263AB-L封装，具有良好的散热性能，确保在高功率密度下仍能稳定运行。
- 宽温度范围：支持-55℃至175℃的工作温度范围，适用于各种恶劣环境下的应用。
四、主要参数
以下是其主要参数的详细表格：
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V DS | 100 | V | |||
| 栅源电压 | V GS | ±20 | V | |||
| 连续漏极电流（25℃） | I D | T C =25℃ | 219 | A | ||
| 连续漏极电流（100℃） | I D | T C =100℃ | 155 | A | ||
| 脉冲漏极电流 | I DM | T C =25℃ | 876 | A | ||
| 单脉冲雪崩电流 | I AS | 70 | A | |||
| 单脉冲雪崩能量 | E AS | 245 | mJ | |||
| 功耗（25℃） | P D | T C =25℃ | 333 | W | ||
| 功耗（100℃） | P D | T C =100℃ | 166 | W | ||
| 栅阈值电压 | V GS(th) | V DS =V GS, I D =440μA | 1.8 | 2.8 | 3.8 | V |
| 漏源导通电阻（10V） | R DS(on) | V GS =10V, I D =64A | 2.8 | 3.3 | mΩ | |
| 漏源导通电阻（6V） | R DS(on) | V GS =6V, I D =32A | 3.5 | 4.7 | mΩ | |
| 零栅压漏极电流 | I DSS | V DS =100V, V GS =0V | 1 | μA | ||
| 栅源泄漏电流 | I GSS | V GS =±20V, V DS =0V | ±100 | nA | ||
| 总栅极电荷 | Q g | V DS =50V, I D =64A, V |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
