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MOS管

强茂中压mos管PJA3461S-AU

更新时间  2024-09-10 11:00 阅读

一、产品概述

PJA3461S-AU是一款60V的P沟道增强型MOSFET,采用先进的封装技术,具有出色的电气性能和热稳定性。

mos管.jpg

其紧凑的SOT-23封装使得该产品非常适合于空间受限的应用场景。此外,PJA3461S-AU还通过了AEC-Q101认证,确保了其在汽车电子等高可靠性领域的适用性。

二、应用领域

PJA3461S-AU凭借其低内阻、高开关速度以及良好的热特性,广泛应用于各种开关负载、PWM(脉冲宽度调制)应用、汽车电子以及工业自动化等领域。在电源管理系统中,它能够有效地控制电流的流动,实现精准的功率分配和调节,从而提高了系统的整体性能和效率。

三、特征优势

  1. 低内阻设计:PJA3461S-AU在V GS @-10V、I D @-1.9A的条件下,内阻低至200mΩ以下,有效降低了功率损耗,提高了系统的能效。
  2. 高开关速度:得益于先进的生产工艺和优化的电路设计,该产品的开关速度显著提升,能够更快地响应输入信号,减少了系统的延迟时间。
  3. 宽温度范围:PJA3461S-AU支持-55℃至175℃的工作温度范围,确保了在不同环境下的稳定性和可靠性。
  4. 环保材料:产品符合欧盟RoHS 2.0标准,采用绿色环保的模塑化合物,降低了对环境的污染。

四、主要参数

以下表格列出了PJA3461S-AU的主要参数,供您参考:

参数符号条件最小值典型值最大值单位
漏源电压V DS
-60

V
栅源电压V GS
±20

V
连续漏极电流I DT A =25℃-1.9

A
连续漏极电流I DT A =70℃-1.6

A
脉冲漏极电流I DMT A =25℃-7.6

A
功耗P DT A =25℃

1.5W
功耗P DT A =70℃

1.05W
栅阈值电压V GS(th)V DS =V GS, I D =-250uA-2.5-1.7-1V
漏源导通电阻R DS(on)V GS =-10V, I D =-1.9A
160200
漏源导通电阻R DS(on)V GS =-4.5V, I D =-1.5A
204270
零栅压漏极电流I DSSV DS =-60V, V GS =0V

-1uA
栅源泄漏电流I GSSV GS =+20V, V DS =0V

+100nA
总栅极电荷Q gV DS =-30V, I D =-1.9A, V GS =-10V
913nC
输入电容CissV DS =-30V, V GS =0V, f=1MHz
340510pF
输出电容Coss

2750pF
反向传输电容Crss

1730pF
栅极电阻R gf



请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。


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