MOS管
强茂中压mos管PJQ44609AP-AU
更新时间 2024-09-09 16:44
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一、产品概述
PJQ44609AP-AU是强茂公司推出的一款60V P通道增强型MOSFET，采用DFN3333-8L封装形式。
该产品通过了AEC-Q101认证，符合欧盟RoHS 2.0标准，且采用绿色成型化合物，符合IEC 61249标准。其设计紧凑、重量轻（约0.03克），非常适合于对空间要求严格的电子应用。
二、应用领域
PJQ44609AP-AU凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于以下领域：
- 汽车电子：如电动车控制、电池管理系统等，要求高性能和高可靠性的电子元件。
- 电源管理：如DC-DC转换器、电池充电器等，需要高效能、低功耗的MOSFET来优化电源效率。
- 工业自动化：如电机控制、逆变器等，需要承受较高电压和电流的MOSFET来保证设备的稳定运行。
三、特征优势
- 低导通电阻：在V GS =-10V，I D =-6A条件下，R DS(ON)仅为62mΩ，有助于降低功耗、提高能效。
- 高可靠性：AEC-Q101认证保证了产品的高可靠性和耐用性，适用于严苛的工业和电子应用。
- 高效散热：热阻低，有助于快速散热，保证MOS管在高温环境下的稳定运行。
- 环保绿色：符合欧盟RoHS 2.0标准和IEC 61249标准，采用绿色成型化合物，有利于环境保护。
四、主要参数
以下是PJQ44609AP-AU的主要参数表格：
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V DS | - | -60 | - | - | V |
| 栅源电压 | V GS | - | ±20 | - | - | V |
| 连续漏极电流（25℃） | I D | T C =25℃ | - | - | -18 | A |
| 连续漏极电流（100℃） | I D | T C =100℃ | - | - | -13 | A |
| 脉冲漏极电流（25℃） | I DM | T C =25℃，脉冲宽度<300us，占空比<2% | - | - | -34 | A |
| 功耗（25℃） | P D | T C =25℃ | - | - | 39 | W |
| 功耗（100℃） | P D | T C =100℃ | - | - | 20 | W |
| 栅极阈值电压 | V GS(th) | V DS =V GS ，I D =-250uA | -1 | - | -2.5 | V |
| 漏源导通电阻 | R DS(on) | V GS =-10V，I D =-6A | - | 50 | 62 | mΩ |
| 漏源导通电阻 | R DS(on) | V GS =-4.5V，I D =-3A | - | 64 | 83 | mΩ |
| 零栅压漏极电流 | I DSS | V DS =-60V，V GS =0V | - | - | -1 | μA |
| 栅源泄漏电流 | I GSS | V GS =±20V，V DS =0V | - | - | ±100 | nA |
| 总栅极电荷 | Q g | V DS =-30V，I D =-6A，V GS =-10V | - | 22 | 30 | nC |
| 输入电容 | Ciss | V DS =-30V，V GS =0V，f=1MHz | - | 122 |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
