MOS管
强茂超级mos管PJMD280N60E1
更新时间 2024-08-12 08:48
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产品概述
PJMD280N60E1是一款600V N沟道超级结MOSFET，采用TO-252AA封装，具有体积小、重量轻的特点，非常适合空间有限的应用场景。
该产品设计符合欧盟RoHS 2.0标准，采用绿色环保的模塑化合物，满足现代电子产品的环保要求。
应用领域
PJMD280N60E1广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于：
- 电视电源：提供稳定可靠的电源管理，确保电视稳定运行。
- 移动电源充电器：优化充电效率，减少能量损耗。
- 适配器：在各种电源转换场景中提供高效、稳定的电力输出。
特征优势
- 低导通电阻（RDS(ON)）：最大仅为280mΩ（在VGS=10V时），有效减少功率损耗。
- 高速开关性能：支持快速开关操作，提高系统响应速度。
- 高耐用性：经过100%雪崩测试和Rg测试，确保长期稳定运行。
- 绿色环保：符合RoHS 2.0标准，采用绿色模塑化合物，符合现代环保要求。
- 紧凑设计：TO-252AA封装，适合空间受限的应用场景。
主要参数表格
以下是PJMD280N60E1的主要技术参数表格：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 静态参数 | ||||||
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=10mA | 600 | 680 | - | V |
| 阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250uA | 2.0 | 3.2 | 4.0 | V |
| 导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=6.5A | - | 248 | 280 | mΩ |
| 零栅压漏电流 | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±30V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 动态参数 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=480V, ID=13.8A, VGS=10V | 13 | 27 | 41 | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 3 | 6 | 9 | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 6 | 12 | 18 | nC |
| 输入电容 | Ciss | VDS=400V, VGS=0V, f=250kHz | 463 | 926 | 1390 | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 19 | 38 | 57 | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | 3.5 | 11 | 33 | pF |
| 有效输出电容能量 | Co(er) | VDS=0V to 480V, VGS=0V, f=250kHz | - | 50 | - | - |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=300V, ID=13.8A, VGS=10V, RG=25Ω | 19 | 39 | 78 | ns |
| 开通上升时间 | tr | - | 30 | 61 | 122 | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 60 | 119 | 240 | ns |
| 关断下降时间 | tf | - | 25 | 50 | 100 | ns |
| 栅极电阻 | Rg | f=1.0MHz | - | - | 7 | Ω |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
