MOS管
强茂超级mos管PJMF099N60EC
更新时间 2024-08-12 08:48
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产品概述
强茂PJMF099N60EC是一款专为高要求电力转换设计的600V N-Channel Super Junction MOSFET。
它采用独特的封装技术（ITO-220AB-F），结合高品质的绿色环保材料，确保了产品的长寿命和高可靠性。
PJMF099N60EC不仅符合欧盟RoHS 2.0标准，还遵循IEC 61249标准，体现了强茂公司对环保和质量的双重承诺。
应用领域
PJMF099N60EC凭借其出色的性能，广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于：
- 功率因数校正（PFC）：在工业电源、服务器电源和电视电源等应用中，提升能源使用效率。
- 个人电脑（PC）电源：为PC提供稳定可靠的电力供应，保障设备稳定运行。
- 不间断电源（UPS）：在电网波动或断电时，提供无缝的电力转换，确保关键设备持续运行。
- 电源适配器与充电器：为各种便携式设备提供高效安全的充电解决方案。
特征优势
- 低导通电阻（RDS(ON)）：在V GS=10V时，RDS(ON)最大仅为99mΩ，有效降低能量损耗，提升系统效率。
- 高速开关性能：支持快速开关操作，适用于高频电力转换场景。
- 高稳定性：通过100%雪崩测试和Rg测试，确保在各种工况下都能稳定工作。
- 环保材料：采用绿色模塑化合物，符合国际环保标准，减少环境影响。
- 易于驱动：低门槛电压和简单的驱动电路，降低了系统设计复杂度。
主要参数
以下是PJMF099N60EC的主要参数表格：
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BV DSS | V GS =0V, I D =10mA | 600 | 710 | - | V |
| 栅极阈值电压 | V GS(th) | V DS =V GS, I D =250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| 漏源导通电阻 | R DS(on) | V GS =10V, I D =19.5A | - | 84 | 99 | mΩ |
| 零栅压漏电流 | I DSS | V DS =600V, V GS =0V | - | - | 1 | μA |
| 栅源漏电流 | I GSS | V GS =±30V, V DS =0V | - | - | ±100 | nA |
| 总栅极电荷 | Q g | V DS =480V, I D =19.5A, V GS =10V | - | 60 | - | nC |
| 输入电容 | C iss | V DS =400V, V GS =0V, f=250kHz | - | 2568 | - | pF |
| 输出电容 | C oss | - | - | 58 | - | pF |
| 反向传输电容 | C rss | - | - | 1.9 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | V DD =300V, I D =19.5A, V GS =10V, R G =25Ω | - | 50 | - | ns |
| 开通上升时间 | t r | - | - | 81 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | - | 210 | - | ns |
| 关断下降时间 | t f | - | - | 88 | - | ns |
| 栅极电阻 | R g | f=1.0MHz | - | 2.1 | - | Ω |
| 最大连续二极管正向电流 | I S | - | - | - | 39 | A |
| 二极管正向电压（I S =19.5A） | V SD | V GS =0V | - | 0.85 | 1.5 | V |
| 反向恢复电荷（I S =19.5A, di/dt=100A/μs） | Q rr | - | - | 6.7 | - | μC |
| 反向恢复时间（I S =19.5A, di/dt=100A/μs） | T rr | - | - | 430 | - | ns |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
