MOS管
强茂低压mos管PJQ5520-AU
更新时间 2024-04-02 10:04
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产品概述
PJQ5520-AU采用了DFN5060-8L封装，这种封装形式使得产品具有出色的散热性能和较小的占板面积。该产品在设计上充分考虑了用户的使用需求，通过优化内部结构，实现了低内阻和高电流承载能力的平衡。
应用领域
PJQ5520-AU凭借其优良的性能，在电动汽车、混合动力车、工业控制、电源管理等多个领域有着广泛的应用。特别是在需要高效能转换和低损耗的电路中，如电池管理系统、电机驱动和逆变器，该产品都表现出了出色的性能。
特征优势
PJQ5520-AU具有多项显著的特征优势。首先，其RDS(ON)值在VGS@10V，ID@20A条件下小于1.7mΩ，在VGS@4.5V，ID@20A条件下小于2.6mΩ，这保证了在低电压下也能实现高效的电流传输。其次，它采用了逻辑电平驱动，使得驱动电路设计更为简单。此外，产品还符合欧盟RoHS 2.0标准，采用了符合IEC 61249标准的绿色成型化合物，符合环保要求。
主要参数
以下是PJQ5520-AU的主要参数表格：
| 参数类别 | 参数描述 | 符号 | 限值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 电压参数 | 漏源电压 | VDS | 30 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V | |
| 电流参数 | 连续漏极电流（25℃） | ID | 152 | A |
| 连续漏极电流（100℃） | ID | 108 | A | |
| 脉冲漏极电流（25℃） | IDM | 608 | A | |
| 功耗参数 | 功耗（25℃） | PD | 79 | W |
| 功耗（100℃） | PD | 39.5 | W | |
| 温度参数 | 结温与存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
| 热阻参数 | 结至壳热阻 | RθJC | （具体数值请参照详细规格书） | ℃/W |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商
