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MOS管

强茂低压mos管PJQ4534P-AU

更新时间  2024-04-01 10:00 阅读

强茂PJQ4534P-AU是一款30V N-Channel增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款产品采用DFN3333-8L封装,具有出色的电气性能,适用于多种电子应用场合。

强茂mos管.jpg

应用领域

PJQ4534P-AU MOSFET因其高效、稳定的性能,在电源管理、电机驱动、电池保护、工业自动化等多个领域得到了广泛应用。其优异的热稳定性和电气特性使得它成为高可靠性应用的理想选择。

特征优势

PJQ4534P-AU MOSFET具有多项显著优势。首先,其低导通电阻RDS(ON)使得在相同工作条件下,功耗更低,效率更高。其次,它支持逻辑电平驱动,便于集成到各种控制电路中。此外,产品符合AEC-Q101标准,表明其适用于汽车级应用,且符合欧盟RoHS 2.0标准,保证了产品的环保性。

主要参数

PJQ4534P-AU MOSFET的主要参数如下表所示:

参数符号极限值单位
漏源电压VDS30V
栅源电压VGS±20V
漏极连续电流(TC=25°C)ID38A
漏极连续电流(TC=100°C)ID27A
脉冲漏极电流(TC=25°C)IDM152A
功耗(TC=25°C)PD21.4W
功耗(TC=100°C)PD10.7W
结温范围TJ,TSTG-55~175°C
热阻(结到壳)RθJC7°C/W

请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。


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