MOS管
强茂低压mos管PJQ4526P-AU
更新时间 2024-04-01 09:54
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一、产品概述
PJQ4526P-AU是强茂公司推出的一款高性能30V N沟道增强型MOSFET，其采用DFN3333-8L封装，具有出色的电气特性和热稳定性。该产品在电路设计中，尤其是在需要高效、稳定的功率管理的场合中，表现出了优秀的性能和可靠性。
二、应用领域
PJQ4526P-AU因其卓越的性能和稳定性，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护等多个领域。在电动汽车、工业自动化、通信设备以及消费电子产品中，都能见到它的身影。
三、特征优势
低RDS(ON)：在VGS为10V，ID为10A的条件下，RDS(ON)小于5.5mΩ，有效地减少了功耗，提高了能源使用效率。
出色的热性能：具有较低的结到壳热阻（RθJC），确保在高功率应用中的温度稳定性。
逻辑电平驱动：使MOSFET能够在低电平信号下可靠地工作，便于电路设计和控制。
符合环保标准：产品符合欧盟RoHS 2.0标准，采用无铅设计，符合绿色环保要求。
AEC-Q101认证：表明产品通过了严格的汽车电子元件质量测试，适合汽车应用领域。
四、主要参数
以下是PJQ4526P-AU的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 极限值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 30 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流（25℃） | ID | 65 | A |
| 连续漏极电流（100℃） | ID | 46 | A |
| 脉冲漏极电流（25℃） | IDM | 260 | A |
| 功耗（25℃） | PD | 37.5 | W |
| 功耗（100℃） | PD | 18.8 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 28 | mJ |
| 结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
| 结到壳热阻 | RθJC | 4 | ℃/W |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商
