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强茂低压mos管PJQ4524P-AU
更新时间 2024-04-01 09:44
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PJQ4524P-AU MOSFET以其高电压、大电流的特性，在电力电子系统中发挥着关键作用。其独特的封装设计和优化过的内部结构，使得它能够在高频率、高功率的工作环境下稳定运行，为各种电子设备提供稳定可靠的电源管理。
二、应用领域
由于PJQ4524P-AU MOSFET具有优异的电气性能，它广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护等领域。在电动汽车、工业自动化、通信设备等多个行业中，都能看到它的身影。
三、特征优势
PJQ4524P-AU MOSFET具有多项显著优势。首先，其RDS(ON)值极低，在VGS@10V，ID@10A的条件下小于4.4mΩ，这有助于减少功率损耗，提高系统效率。其次，它具备逻辑电平驱动能力，使得驱动电路设计更为简化。此外，该产品还符合AEC-Q101标准，并采用了无铅设计，符合欧盟RoHS 2.0标准，体现了其环保特性。
四、主要参数
以下是PJQ4524P-AU MOSFET的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 极限值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 30 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流（25℃） | ID | 80 | A |
| 连续漏极电流（100℃） | ID | 57 | A |
| 脉冲漏极电流（25℃） | IDM | 320 | A |
| 功耗（25℃） | PD | 45.5 | W |
| 功耗（100℃） | PD | 22.7 | W |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 42 | mJ |
| 工作结温和储存温度范围 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商
