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强茂低压MOS管PJD80N04S-AU
更新时间 2024-03-29 15:44
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强茂低压MOS管PJD80N04S-AU是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET，专为高电流、低电压应用而设计。它采用TO-252AA封装，具有出色的电气性能和热稳定性，适用于多种电子设备和系统。
应用领域
PJD80N04S-AU功率MOSFET广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器、电池保护等领域。在电动车、工业控制、通信设备以及消费电子等行业中，它都发挥着不可或缺的作用。
特征优势
- 低RDS(ON)值：在VGS为10V，ID为20A的条件下，RDS(ON)小于2.1mΩ，有助于降低功耗，提高系统效率。
- 优秀的热性能：产品具备优良的热稳定性，确保在高功率和高温度环境下稳定运行。
- 逻辑电平驱动：使得其驱动电路设计简化，提高了系统的可靠性。
- 符合多项标准：产品符合AEC-Q101标准，且符合欧盟RoHS 2.0环保要求，采用符合IEC 61249标准的绿色成型化合物，确保产品的环保性和安全性。
主要参数
以下是PJD80N04S-AU功率MOSFET的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 极限值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 40 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流（25℃） | ID | 190 | A |
| 连续漏极电流（100℃） | ID | 134 | A |
| 脉冲漏极电流（25℃） | IDM | 665 | A |
| 功耗（25℃） | PD | 136 | W |
| 功耗（100℃） | PD | 68 | W |
| 单一脉冲雪崩能量 | EAS | 229 | mJ |
| 结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
| 热阻（结至壳） | RθJC | 1.1 | - |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商
