在汽车照明领域，强茂电子推出的PJD60P04E-AU型MOSFET凭借其卓越性能成为车灯应用的理想选择。

该器件采用先进的功率半导体工艺，专为高可靠性、高效率的车载照明系统设计，满足车规级严苛环境要求。

一、核心参数优势

PJD60P04E-AU采用-40V漏源电压（VDS）设计，支持±25V栅源电压（VGS），确保在车载电源波动场景下的稳定工作。

其连续漏极电流（ID）达-61A（25°C环境），脉冲漏极电流（IDM）更可达-171A，可满足远光灯、矩阵式LED等高功率照明需求。

器件导通电阻（RDS(on)）最低仅9mΩ，显著降低导通损耗，提升系统能效。

功耗控制方面，25°C时额定功率（PD）达75W，配合2°C/W的热阻（RθJC）特性，有效优化散热设计。

二、极端环境适应性

该器件的工作结温范围覆盖-55°C至175°C，完美适配汽车发动机舱的高温环境及寒带地区的低温启动场景。

其热阻特性结合强茂特有的封装工艺，可实现快速热量传导，避免局部过热导致的性能衰减，确保长期使用的可靠性。

三、车规级可靠性保障

强茂电子在PJD60P04E-AU中采用车规级封装材料与严苛的制造标准，通过AEC-Q101认证，满足汽车电子的可靠性要求。

器件在抗短路、抗浪涌、抗静电等方面表现优异，可有效应对车载电源系统的复杂电气环境。

四、应用场景拓展

除传统车灯应用外，该MOSFET还可用于智能车灯控制系统、LED矩阵模组、激光大灯驱动等新兴领域。

综上，PJD60P04E-AU以高电流能力、低导通损耗、宽温域工作及车规级可靠性，成为汽车照明领域的优选方案，助力实现更高效、更可靠的车载照明系统设计。