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强茂MOS管2N7002K-AU，N沟道MOSFET
更新时间 2024-02-27 11:11
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产品概述
强茂MOS管2N7002K-AU产品在关断状态下具有极低的漏电流，确保了高效且稳定的性能。此外，强茂MOS管2N7002K-AU还具有2KV人体模型静电防护（HBM）能力，大大提高了产品的可靠性和耐用性。
应用领域
强茂MOS管2N7002K-AU专为电池供电系统、固态继电器驱动器等设计，广泛应用于继电器、显示器、存储器等电子设备中。此外，它还可用于汽车电子、工业自动化、医疗设备等领域，为各种应用提供高效、稳定的电源管理解决方案。
特征优势
- 超低导通电阻：采用先进的沟道工艺和高密度单元设计，使得2N7002K-AU具有极低的导通电阻，降低了功耗，提高了效率。
- 低漏电流：在关断状态下，产品具有极低的漏电流，保证了系统的稳定性和可靠性。
- ESD保护：产品具有2KV HBM静电防护能力，有效抵御静电冲击，提高产品耐用性。
- AEC-Q101认证：产品通过AEC-Q101认证，满足汽车电子领域的严格标准，为汽车应用提供可靠保障。
- 环保合规：产品符合欧盟RoHS 2指令，无铅设计，符合环保要求。
主要参数
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 型号 | 2N7002K-AU |
| 沟道类型 | N沟道 |
| 工作电压 | 60V |
| 导通电流 | 300mA |
| 封装形式 | SOT-23 |
| RDS(ON) @ VGS=10V, ID=500mA | 3Ω |
| RDS(ON) @ VGS=4.5V, ID=200mA | 4Ω |
| 静电防护等级 | 2KV HBM |
| 认证标准 | AEC-Q101 |
| 环保标准 | 符合欧盟RoHS 2 |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商
