MOS管
强茂超级mos管PJMH040N60EC
更新时间 2024-08-08 08:48
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产品概述
PJMH040N60EC是一款专为高功率应用设计的600V N沟道超级结MOSFET，采用TO-247AD-3LD封装，不仅具备出色的电气性能，还充分考虑了环保与易用性。
其低导通电阻（R DS(ON)）和高速开关特性，使得PJMH040N60EC能够在高功率密度和高效率的应用场景中发挥出色表现。此外，该产品还严格遵循欧盟RoHS 2.0标准，使用绿色成型化合物，确保环境友好。
应用领域
PJMH040N60EC因其卓越的性能，被广泛应用于以下领域：
- 工业电源PFC（功率因数校正）：有效提升功率因数，减少谐波污染，适用于各种大功率工业设备。
- 服务器电源：为数据中心和云计算设施提供高效、稳定的电力供应，确保数据中心的稳定运行。
- 电信电源：在电信基站、传输网络等关键通信设施中，保障电力供应的连续性和稳定性。
特征优势
- 低导通电阻：在V GS = 10V时，R DS(ON)最大仅为40mΩ，显著降低功耗，提升系统效率。
- 高速开关性能：支持快速开关操作，加快电路响应速度，满足高频率开关需求。
- 高可靠性：经过严格的雪崩测试和门极电阻测试，确保在恶劣工况下的稳定运行。
- 环保设计：符合RoHS 2.0标准，使用环保材料，符合现代工业绿色生产理念。
- 易用性：简单易用的驱动电路设计，降低系统集成难度，提高生产效率。
主要参数
以下列出了PJMH040N60EC的主要技术参数：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压（@T_jmax） | V_DS | 600 | 710 | 650 | V |
| 栅源电压 | V_GS | - | ±30 | - | V |
| 连续漏极电流（T_C = 25°C） | I_D | - | - | 71 | A |
| 连续漏极电流（T_C = 100°C） | I_D | - | - | 45 | A |
| 脉冲漏极电流（T_C = 25°C） | I_DM | - | - | 212 | A |
| 栅阈值电压（V_DS = V_GS, I_D = 250uA） | V_GS(th) | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| 漏源导通电阻（V_GS = 10V, I_D = 40.5A） | R_DS(on) | - | 34 | 40 | mΩ |
| 零栅压漏极电流（V_DS = 600V, V_GS = 0V） | I_DSS | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流（V_GS = ±30V, V_DS = 0V） | I_GSS | - | - | ±100 | nA |
| 总栅极电荷（V_DS = 480V, I_D = 40.5A） | Q_g | - | 144 | - | nC |
| 栅源电荷 | Q_gs | - | 33 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Q_gd | - | 50 | - | nC |
| 输入电容（V_DS = 400V, V_GS = 0V, f=100kHz） | C_iss | - | 6580 | - | pF |
| 输出电容 | C_oss | - | 158 | - | pF |
| 反向传输电容 | C_rss | - | 2 | - | pF |
| 开启延迟时间（V_DD = 300V, I_D = 40.5A） | t_d(on) | - | 93 | - | ns |
| 开启上升时间 | t_r | - | 108 | - | ns |
| 关断延迟时间 | t_d(off) | - | 432 | - | ns |
| 关断下降时间 | t_f | - | 127 | - | ns |
| 栅极电阻（f=1.0MHz） | R_g | - | 0.9 | - | Ω |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
