MOS管
强茂超级mos管PJMH125N60FRC
更新时间 2024-08-05 08:48
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产品概述
强茂电子推出的PJMH125N60FRC是一款高性能的600V N型沟道超级结MOSFET,采用TO-247AD-3LD封装。该产品凭借其卓越的性能和可靠性,广泛应用于各种电力电子领域,成为高效能源转换和管理的理想选择。
应用领域
PJMH125N60FRC特别适合应用于LLC谐振转换器、PSFB(Push-Pull Series Feedback)转换器、HB(Half Bridge)转换器及FB(Full Bridge)转换器等高性能电力电子设备中。其优越的电气特性和热特性,确保了在高负载和高速开关应用中的稳定性和可靠性。
特征优势
低导通电阻
- R_DS(ON)最大值仅为125mΩ @ V_GS = 10V:显著降低功耗,提升系统效率。
快速恢复性能
- 优异的Qrr/Trr性能:减少开关过程中的能量损失,加快开关速度。
高可靠性
- 100%雪崩测试:确保产品在高电压应力下的稳定性和耐用性。
- 100%栅极电阻测试:保证栅极电路的一致性和可靠性。
环保设计
- 符合欧盟RoHS 2.0标准:无铅设计,满足全球环保要求。
- 绿色成型化合物:遵循IEC 61249标准,对环境友好。
高功率处理能力
- 最大连续漏极电流ID为30A(@T_C = 25°C):支持大功率应用。
- 最大脉冲漏极电流IDM为76A:应对瞬时高电流冲击。
主要参数
PJMH125N60FRC主要电气参数和机械特性:
参数类别 | 参数符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
---|---|---|---|---|---|---|
电气特性 | ||||||
漏源击穿电压 | BV_DSS | V_GS = 0V, I_D = 10mA | 600 | - | - | V |
栅极阈值电压 | V_GS(th) | V_DS = V_GS, I_D = 250uA | 4.3 | 4.8 | 5.8 | V |
漏源导通电阻 | R_DS(on) | V_GS = 10V, I_D = 12A | - | 108 | 125 | mΩ |
零栅压漏电流 | I_DSS | V_DS = 600V, V_GS = 0V | - | - | 10 | μA |
栅源漏电流 | I_GSS | V_GS = ±30V, V_DS = 0V | - | - | ±100 | nA |
栅极电荷 | Q_g | V_DS = 480V, I_D = 22A, V_GS = 10V | - | 49 | - | nC |
反向恢复电荷 | Q_rr | I_S = 22A, V_DD = 400V, di/dt = 100A/μs | - | - | 0.7 | μC |
反向恢复时间 | T_rr | - | - | - | 129 | ns |
请注意,以上数据为强茂规格书数据,仅供参考,实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问,请咨询超毅电子相关技术人员,超毅电子是台湾强茂代理商。