MOS管
强茂低压mos管PJD65N04S-AU
更新时间 2024-03-27 16:44
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产品概述
PJD65N04S-AU是一款40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET，采用TO-252AA封装。该MOSFET具有低导通电阻RDS(ON)，能够在高电压和高电流条件下稳定工作。
应用领域
该MOSFET广泛应用于电源供应器、电机驱动器、不间断电源(UPS)、电动车充电器、太阳能逆变器、工业控制等领域。
特征优势
RDS(ON)低，提供出色的导通性能
逻辑电平驱动，易于与微控制器和逻辑电路集成
AEC-Q101合格，适用于汽车电子产品
无铅设计，符合欧盟RoHS 2.0标准
绿色封装材料，符合IEC 61249标准
主要参数
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V, ID=250uA | 40 | - | - | V |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=50uA | 1.1 | 1.6 | 2.3 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=20A | - | 2 | 2.5 | mΩ |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=4.5V, ID=20A | - | 2.5 | 3.3 | mΩ |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=40V, VGS=0V | - | - | ±1 | uA |
| 栅源泄漏电流 | IGSS | VGS=±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 总门电荷 | Qg | VDS=32V, ID=20A, VGS=10V | - | 50 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=32V, ID=20A, VGS=10V | - | 9 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDS=32V, ID=20A, VGS=10V | - | 6 | - | nC |
| 输入电容 | Ciss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 3148 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 616 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz | - | 104 | - | pF |
| 栅极电阻 | Rg | f=1MHz | - | 1 | - | Ω |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商
