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强茂低压MOS管PJD60N04V-AU
更新时间 2024-03-26 15:43
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PJD60N04V-AU是一款专为高效能源转换设计的40V N-Channel增强型MOSFET，以其卓越的电气性能、可靠的稳定性及优良的热特性在低压电路领域中受到广泛关注。
应用领域
PJD60N04V-AU因其高电流处理能力、低导通电阻以及优异的热稳定性，广泛应用于电动汽车、工业自动化、通信设备、电源管理以及LED照明等领域。在这些应用中，它能够有效降低系统功耗，提高能源利用效率，为设备的稳定运行提供有力保障。
特征优势
- 低导通电阻：在VGS为10V、ID为20A的条件下，RDS(ON)小于2.7mΩ，有效减少热量产生，提升效率。
- 良好的电气特性：产品具有出色的FOM（Figure of Merit）值，保证在高电流、高电压环境下稳定工作。
- 标准电平驱动：与常规电路驱动电压相匹配，简化电路设计，提高系统集成度。
- 环保认证：符合AEC-Q101标准，且符合欧盟RoHS 2.0无铅要求，使用绿色成型化合物，满足环保需求。
主要参数
以下是PJD60N04V-AU的主要参数表格：
| 参数名称 | 符号 | 极限值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | 40 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流（25℃） | ID | 154 | A |
| 连续漏极电流（100℃） | ID | 109 | A |
| 脉冲漏极电流（25℃） | IDM | 616 | A |
| 功耗（25℃） | PD | 115 | W |
| 功耗（100℃） | PD | 58 | W |
| 结至壳热阻 | RθJC | 1.3 | - |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 125 | mJ |
| 工作结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~175 | ℃ |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商
