保护器件
强茂稳压二极管PZS52C9V1M1Q
更新时间 2024-04-28 15:37
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强茂稳压二极管PZS52C9V1M1Q是一款采用平面芯片构造的硅稳压二极管，适用于广泛的电子应用。该产品以其优异的性能和可靠的质量，成为电子工程师在设计电路时的优选组件。
应用领域
PZS52C9V1M1Q稳压二极管因其稳定的电压输出和高效的能量耗散能力，广泛应用于电源电路、信号处理电路、保护电路等领域。在这些应用中，它能够有效地稳定电压，防止电路因电压波动而受到损害。
特征优势
- 平面芯片构造：这种构造有助于提高器件的散热性能，减少热阻，保证长时间稳定工作。
- 适用于自动化组装：其设计充分考虑了自动化生产线的需求，方便大规模生产。
- 无铅环保：符合欧盟RoHS 2.0标准，使用无铅材料，有利于环境保护。
- 绿色成型化合物：遵循IEC 61249标准，使用环保型材料，降低对环境的影响。
主要参数
以下是PZS52C9V1M1Q稳压二极管的主要参数列表：
| 参数名称 | 符号 | 限值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 存储温度范围 | TSTG | -55~150 | °C |
| 峰值脉冲功耗（TA=25°C） | PD | 250 | mW |
| 典型热阻（结到环境） | RθJA | 500 | °C/W |
| 正向电压（IF=10mA） | VF | 0.9 | V |
| 工作结温范围 | TJ | -55~150 | °C |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
