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能源革命如何助力第三代半导体发展？
更新时间 2021-12-03 16:42
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近年来，第三代半导体技术成为了炙手可热的香饽饽，各大半导体厂商相继将其捧为掌上明珠。第三代半导体究竟有何魅力，以至于各大厂商挤破头都要挤进这条赛道呢？今天就让小编来带大家一探究竟吧。
首先究竟什么是第三代半导体呢？第三代半导体一般是指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料，也称为宽禁带半导体材料，其中以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的。与第一代的硅（Si）和第二代的砷化镓（GaAs）相比，第三代半导体优势明显，其损耗更低、适应的频率和电压更高。
新能源汽车、充电桩的快速发展带动了SiC的增长
为了更好地满足使用者需求，电动汽车将持续向更长的行驶里程、更快的充电速度和更大的电池容量发展。随着电动汽车市场的扩大以及其他系统的更新换代，SiC功率半导体将更多地在车载充电器，DC-DC转换器和牵引逆变器等方面应用，带来SiC市场的激增。
根据相关数据及预测，SiC市场规模为5.4亿美元，预计将于2025年达到25.6亿美元，GAGR达到30.3%。其中，在新能源汽车及充电桩领域SiC2019年市场规模为2.3亿美元，预计将于2025年达到17.8亿美元，CAGA达到46.1%。
全球射频和功率GaN器件快速增长
目前全球GaN器件的主要分类为光电GaN器件、射频（RF）GaN器件和功率GaN器件，其中在全球领域光电GaN器件占比最高，达到65.22%，其次为射频器件和功率器件。
而近年来随着第三代半导体技术的逐渐成熟，GaN器件也正向着主流在越来越多的应用在射频器件、功率开关和转换应用。机遇GaN的IC可以满足提高系统性能和效率、节省空间和在更高温度下可靠运行的需求。
根据相关预测，GaN RF器件市场规模将从2019年的9亿美元增长到2024年的24亿美元，符合增速达到21%，GaN功率器件市场规模将从2019年的53亿美金增长到2024年的18亿美金，复合增速29%。
全球SiC和GaN产业主要技术都被国外厂商占据
SiC产业中衬底是技术壁垒最高的环节，2020年上半年仅美国Cree一家公司碳化硅衬底市场占有率就高达45%，其次为日本的罗姆和美国的II-VI，而国内龙头山东天岳、天科合达合计市场份额不到10%
GaN产业中，日本住友集团为全球第一大厂商，市场占比高达40%，来自美国的Cree及Qorvo分别占24%和20%，而国内企业在此领域还只处于起步阶段。
国内外差距较小，国内发展前景良好
目前第三代半导体仍处于发展的初期，国内企业和国际巨头之间的差距仍然比较小，而中国拥有广阔的第三代半导体应用市场，可以根据市场研发产品，改变以往集中于国产化替代的道路。
而且第三代半导体难点在工艺，而工艺的开发具有偶然性，相比逻辑芯片难度要低不少，而于生产过程对设备要求较低、投资额较小、准入门槛低，这些条件都对后来的追赶者相对较为有利，可以预见我国第三代半导体产业将迎来快速发展。
超毅电子成立于2000年，是亿光21年授权合作代理商，代理亿光全系列产品，随着半导体行业的快速发展，超毅电子也跟上了时代的步伐，在SiC半导体元器件上加紧布局。如有需要免费样品、批量采购、详细规格书等，欢迎联系超毅电子。
首先究竟什么是第三代半导体呢？第三代半导体一般是指禁带宽度大于2.2eV的半导体材料，也称为宽禁带半导体材料，其中以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的。与第一代的硅（Si）和第二代的砷化镓（GaAs）相比，第三代半导体优势明显，其损耗更低、适应的频率和电压更高。
新能源汽车、充电桩的快速发展带动了SiC的增长
为了更好地满足使用者需求，电动汽车将持续向更长的行驶里程、更快的充电速度和更大的电池容量发展。随着电动汽车市场的扩大以及其他系统的更新换代，SiC功率半导体将更多地在车载充电器，DC-DC转换器和牵引逆变器等方面应用，带来SiC市场的激增。
根据相关数据及预测，SiC市场规模为5.4亿美元，预计将于2025年达到25.6亿美元，GAGR达到30.3%。其中，在新能源汽车及充电桩领域SiC2019年市场规模为2.3亿美元，预计将于2025年达到17.8亿美元，CAGA达到46.1%。
全球射频和功率GaN器件快速增长
目前全球GaN器件的主要分类为光电GaN器件、射频（RF）GaN器件和功率GaN器件，其中在全球领域光电GaN器件占比最高，达到65.22%，其次为射频器件和功率器件。
而近年来随着第三代半导体技术的逐渐成熟，GaN器件也正向着主流在越来越多的应用在射频器件、功率开关和转换应用。机遇GaN的IC可以满足提高系统性能和效率、节省空间和在更高温度下可靠运行的需求。
根据相关预测，GaN RF器件市场规模将从2019年的9亿美元增长到2024年的24亿美元，符合增速达到21%，GaN功率器件市场规模将从2019年的53亿美金增长到2024年的18亿美金，复合增速29%。
全球SiC和GaN产业主要技术都被国外厂商占据
SiC产业中衬底是技术壁垒最高的环节，2020年上半年仅美国Cree一家公司碳化硅衬底市场占有率就高达45%，其次为日本的罗姆和美国的II-VI，而国内龙头山东天岳、天科合达合计市场份额不到10%
GaN产业中，日本住友集团为全球第一大厂商，市场占比高达40%，来自美国的Cree及Qorvo分别占24%和20%，而国内企业在此领域还只处于起步阶段。
国内外差距较小，国内发展前景良好
目前第三代半导体仍处于发展的初期，国内企业和国际巨头之间的差距仍然比较小，而中国拥有广阔的第三代半导体应用市场，可以根据市场研发产品，改变以往集中于国产化替代的道路。
而且第三代半导体难点在工艺，而工艺的开发具有偶然性，相比逻辑芯片难度要低不少，而于生产过程对设备要求较低、投资额较小、准入门槛低，这些条件都对后来的追赶者相对较为有利，可以预见我国第三代半导体产业将迎来快速发展。
超毅电子成立于2000年，是亿光21年授权合作代理商，代理亿光全系列产品，随着半导体行业的快速发展，超毅电子也跟上了时代的步伐，在SiC半导体元器件上加紧布局。如有需要免费样品、批量采购、详细规格书等，欢迎联系超毅电子。
