红外发光二极管（IR LED）作为重要的光电元件，其发射方向对其辐射强度有着一定的影响。了解这种影响对于优化红外发射二极管的应用和设计至关重要。

红外发光二极管发射方向对发射强度的影响

红外发射二极管的发射方向确实会影响其发射强度。在正向工作电流作用下，红外辐射强度通常与电流成正比关系。

然而，当接近正向电流的额定值时，器件内部会因电流的热耗而产生温升，这可能会导致光发射功率下降。因此，虽然增加电流可以提高红外发射管的辐射强度，但在一定程度上会受到温度影响。

需要注意的是，虽然较小的电流可能会影响辐射功率的发挥，但过大的工作电流也会带来问题。过高的电流可能影响器件的寿命，甚至可能导致红外发射管损坏。

此外，红外发射管的发射角度也会对发射强度产生影响。通过调整支架的插入深度、支架碗杯的大小深浅、模条的R角大小以及晶片的大小高低等因素，可以影响发射管的发射角度。通常来说，角度愈大，发射的光线愈分散，发射强度可能相对较小。

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