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亿光光耦EL817电源设备产品专用料号

光耦EL817尺寸
| 项目 | 符号 | 最大范围 | 单位 | |
| 输入端 | 顺向电流 | IF | 60 | mA | 
| 峰值电流(1us脉冲) | IFP | 1 | A | |
| 反向电压 | VR | 6 | V | |
| 功率消耗 | Pd | 100 | mW | |
| 2.9 | mW/℃ | |||
| 输出端 | 功率消耗 | Pc | 150 | mW | 
| 5.8 | mW/℃ | |||
| 集电极电流 | Ic | 50 | mA | |
| 集电极-发射极电压 | Vceo | 35 | V | |
| 发射极-集电极电压 | Veco | 6 | V | |
| 总的功率消耗 | Ptot | 200 | mW | |
| 隔离电压 | Viso | 5000 | V | |
| 工作温度 | Topr | -55~110 | ℃ | |
| 储存温度 | Tstg | -55~125 | ℃ | |
| 焊锡温度 | Tsol | 260 | ℃ | |
EL817使用额定最大范围
| 项目 | 符号 | 最小值 | 平均值 | 最大值 | 单位 | 条件 | 
| 顺向电压 | VF | --- | 1.2 | 1.4 | V | IF=20mA | 
| 反向电流 | IR | --- | -- | 10 | uA | VR=4V | 
| 输入端电容 | Cin | --- | 30 | 250 | pF | V = 0, f = 1kHz | 
光耦EL817输入端特性
| 项目 | 符号 | 最小值 | 平均值 | 最大值 | 单位 | 条件 | 
| 集电极与发射极暗电流 | Iceo | --- | --- | 100 | nA | VCE = 20V, IF = 0mA | 
| 集电极-发射极击穿电压 | BVceo | 80 | -- | --- | V | IC = 0.1mA | 
| 发射极-集电极击穿电压 | BVeco | 7 | --- | --- | V | IE = 0.1mA | 
光耦EL817输出端特性
| 品名型号 | 图标符号 | 最小值 | 平均值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 | |
| 按CTR分 | EL817 | CTR | 50 | --- | 600 | % | IF=5mA ,Vce=5V | 
| EL817A | 80 | --- | 160 | ||||
| EL817B | 130 | --- | 260 | ||||
| EL817C | 200 | --- | 400 | ||||
| EL817D | 300 | --- | 600 | ||||
| EL817X | 100 | --- | 200 | ||||
| EL817Y | 150 | --- | 300 | ||||
| 集电极发射极饱和电压 | Vce(sat) | --- | 0.1 | 0.2 | V | IF = 20mA ,IC = 1mA | |
| 隔离阻值 | Rio | 5×1010 | --- | --- | Ω | VIO = 500Vdc,40~60% R.H. | |
| 浮动电容 | Cio | --- | 0.6 | 1.0 | pF | VIO = 0, f = 1MHz | |
| 截止频率 | fC | --- | 80 | --- | kHz | VCE = 5V, IC = 2mARL = 100Ω, -3dB | |
| 上升时间 | tr | --- | 6 | 18 | us | VCE = 2V, IC = 2mA,RL = 100 | |
光耦EL817基本的转换特性
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