碳化硅功率二极管
强茂碳化硅二极管PCDP08120GB
更新时间 2025-01-01 09:18
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一、产品概述
PCDP08120GB是强茂推出的一款高性能碳化硅二极管（SiC Schottky Barrier Diode）。
该产品采用TO-220AC封装，具备多种优秀特性，包括温度独立的开关行为、高浪涌电流能力、低正向压降（V F 仅为1.4V在额定电流下）、低导通损耗、无反向恢复以及高结温（最高可达175°C）等。
此外，该强茂碳化硅二极管还符合欧盟RoHS 2.0标准，采用环保的模塑化合物，符合IEC 61249标准，是绿色电子产品的理想选择。
二、应用领域
PCDP08120GB的应用领域广泛，包括但不限于功率因数校正（PFC）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器（PV Inverter）、电动汽车充电站以及焊接机等。
三、主要参数
以下是碳化硅二极管PCDP08120GB的详细参数列表：
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 重复峰值反向电压 | V RRM | - | - | - | 1200 | V DC |
| 直流阻断电压 | V DC | - | - | - | 1200 | V |
| 连续正向电流（T C = 160°C） | I F | - | - | 8 | - | A |
| 重复峰值浪涌电流（半正弦波，D=0.1，T C = 25°C，t p =10ms） | I FRM | - | - | - | 48 | A |
| 重复峰值浪涌电流（半正弦波，D=0.1，T C = 125°C，t p =10ms） | - | - | - | - | 40 | A |
| 峰值正向浪涌电流（半正弦波，T C = 25°C，t p =10ms） | I FSM | - | - | - | 76 | A |
| 峰值正向浪涌电流（半正弦波，T C = 125°C，t p =10ms） | - | - | - | - | 64 | A |
| 峰值正向浪涌电流（t p =10us，脉冲） | - | - | - | - | 723 | A |
| 最大功耗 | P total | - | - | - | 173 | W |
| 操作结温范围 | T J | - | -55 | - | 175 | °C |
| 储存温度范围 | T STG | - | -55 | - | 175 | °C |
| 正向电压降（I F = 8 A，T J = 25°C） | V F | - | - | 1.4 | 1.7 | V |
| 正向电压降（I F = 8 A，T J = 175°C） | - | - | - | 1.9 | - | V |
| 反向泄漏电流（V R = 1200 V，T J = 25°C） | I R | - | - | 1 | 60 | μA |
| 反向泄漏电流（V R = 1200 V，T J = 175°C） | - | - | - | 5 | - | μA |
| 总电容性电荷（V R = 800V） | Q C | - | - | 49 | - | nC |
| 总电容（V R = 1V，f = 1MHz） | C | - | - | 544 | - | pF |
| 电容存储能量（V R = 800V） | E C | - | - | 15 | - | μJ |
| 热阻（R θJ C） | - | - | - | 0.86 | - | °C/W |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
三、注意事项
在使用碳化硅二极管PCDP08120GB时，请注意以下几点：
- 请确保产品符合您的应用需求，并在额定范围内使用。
- 在安装和焊接过程中，请遵循相关标准和操作规程，以确保产品的可靠性和安全性。
请注意产品的储存温度和操作结温范围，避免超过规定值导致产品损坏。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
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