MOS管
强茂低压mos管PJQ5540V-AU
更新时间 2024-12-09 09:47
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一、产品概述
PJQ5540V-AU是强茂的一款40V N沟道低压MOS管。
它采用了DFN5060X-8L封装形式，具有低内阻、高电流承载能力、优异的FOM（品质因数）等特点。
同时，该产品还通过了AEC-Q101认证，符合欧盟RoHS 2.0标准，并采用符合IEC 61249标准的绿色成型化合物，确保了产品的环保性和可靠性。
二、主要参数
以下是PJQ5540V-AU低压MOS管的主要参数：
| 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | V_DS | 40 | - | - | V |
| 栅源电压 | V_GS | -20 | - | 20 | V |
| 连续漏极电流（25℃） | I_D | - | - | 174 | A |
| 连续漏极电流（100℃） | I_D | - | - | 124 | A |
| 脉冲漏极电流（25℃） | I_DM | - | - | 609 | A |
| 功耗（25℃） | P_D | - | - | 115.4 | W |
| 功耗（100℃） | P_D | - | - | 57.7 | W |
| 栅阈电压 | V_GS(th) | 2 | 2.9 | 3.5 | V |
| 漏源导通电阻（V_GS=10V, I_D=20A） | R_DS(on) | - | 1.7 | 2.1 | mΩ |
| 漏源导通电阻（V_GS=7V, I_D=20A） | R_DS(on) | - | 2.1 | 2.7 | mΩ |
| 零栅压漏极电流 | I_DSS | - | - | 1 | μA |
| 栅源泄漏电流 | I_GSS | - | - | ±100 | nA |
| 总栅极电荷（V_DS=32V, I_D=20A, V_GS=10V） | Q_g | - | 63 | - | nC |
| 输入电容（V_DS=25V, V_GS=0V, f=1MHz） | C_iss | - | 4690 | - | pF |
| 输出电容 | C_oss | - | 979 | - | pF |
| 反向传输电容 | C_rss | - | 68 | - | pF |
| 栅极电阻（f=1MHz） | R_g | - | 0.8 | - | Ω |
| 开启延迟时间 | t_d(on) | - | 30 | - | ns |
| 开启上升时间 | t_r | - | 34 | - | ns |
| 关断延迟时间 | t_d(off) | - | 55 | - | ns |
| 关断下降时间 | t_f | - | 17 | - | ns |
请注意，以上数据为强茂规格书数据，仅供参考，实际应用时需根据具体电路条件和工作环境进行选择和调整。
如有任何疑问，请咨询超毅电子相关技术人员，超毅电子是台湾强茂代理商。
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